Transistor

I progettisti di tutto il mondo si trovano ad affrontare una sfida continua per gestire la discrepanza tra il ciclo di vita dei loro sistemi e l'obsolescenza dei relativi componenti.

Transistor al posto dei contatti reed: come primo strumento del suo genere, WIKA presenta il nuovo livellostato con segnale di uscita PNP/NPN. Il modello GLS-1000 consente la misura del livello di liquidi con un?accuratezza di ? 1 mm.

Questa tesi presenta la progettazione di un carica batterie ideato per operare con un ingresso universale. Il convertitore AC/DC è implementato usando una tipica struttura a due stadi Il controllo di questo dispositivo è implementato usando un controllore PID multi-loop per il raddrizzatore PFC, tramite il controllo average mode della corrente. Un semplice controllore PID è implementato nel convertitore DC/DC ed entrambi utilizzano uno switching PWM. Viene inoltre presentato un nuovo approccio digitale per eliminare il controllore feed-forward dallo schema convenzionale, che semplifica ulteriormente la strategia di controllo. Il controllore digitale del sistema di potenza usa una strategia di switching binaria per i transistor. Essi switchano in base al segno dell’errore, usato come segnale di controllo.

La spintronica è un nuovo campo di ricerca dell’elettronica, con grandissime potenzialità di creare dispositivi a basso consumo di potenza e maggiori performance. Nella tesi sono trattati effetti come la IEC, la GMR, la TMR, l’accoppiamento spin-orbita, la spin torque, l’effetto hall di spin. Notevoli sono le applicazioni, già presenti nel mercato, come gli hard disk, le valvole spin, o le MRAM, o in via di sviluppo, come i semiconduttori ferromagnetici, lo spin-led o lo spin-transistor. In meno di vent’anni la spintronica ha cambiato il volto dell’immagazzinamento dei dati, aprono le porte al mondo dei video digitali e di internet.

La maggior parte delle memorie non volatili attuali si basa sul transistor a gate flottante. Nel corso degli anni, la dimensione della cella elementare è stata sempre più ridotta per far fronte alle crescenti richieste in termini di densità di memoria. Tuttavia, il transistor a floating gate sta raggiungendo i suoi limiti fisici intrinseci e le dimensioni della cella non possono più essere facilmente ridotte a meno di non compromettere la funzionalità o l’affidabilità del dispositivo stesso. Per far fronte a questi problemi, diverse alternative sono in fase di studio. Tra di esse, si possono annoverare le memorie ferroelettriche, le memorie a cambiamento di fase, e le memorie a nanocristalli. Questi tre tipi di memorie sono oggetto di studio di questa tesi. In lingua inglese